以碳化硅为代表的第三代半导体近两年紧紧盘踞着行业热门。于履历已往几年的高速成长以后，从2024年下半年最先，咱们留意到了一些新的变化，触及市场、产能、技能、价格等多个范畴，邻近年底，好像有须要对于碳化硅行业举行一番新的梳理。

变化一，国际年夜厂脚步放缓

Yole估计，全世界SiC市场范围估计将从2025年靠近60亿美元增加至2029年的100亿美元，年复合增加率估计约为36.7%。芯片及器件制造环节上，按照2023年企业财报测算，意法半导体(ST)、英飞凌(Infineon)、Wolfspeed、安森美(Onsemi)、罗姆(ROHM)的整体市占率到达82%，财产环节出现高度集中状况。

图源：清纯半导体

患上益在新能源汽车财产的高速成长，这些年夜厂此前设定的事迹方针均为于2030年实现SiC功率电子市占率30-40%，产能计划、投资力度方面也都颇为激进。但下半年来，不敷不变的市场情况让他们暂时放慢了脚步。

近日，Wolfspeed公布董事会已经赞成GreggLowe辞去公司总裁兼首席履行官和董事会成员的职务。这一决议是于公司面对电动汽车需求放缓，工业、能源终端市场定单削减，以和2025财年第一财季吃亏2.82亿美元的配景下做出的。

只管按照英国《芯片法案》的划定，Wolfspeed可能得到24亿美元的资金注入，但公司于向纯200妹妹碳化硅晶圆及装备制造的转型历程中仍旧举步维艰。

本月早些时辰，Wolfspeed暗示将为规划封闭一家位在美国北卡罗来纳州达勒姆(Durham)的150妹妹SiC工场预备1.74亿美元的重组用度。公司还有于最新一次财报德律风集会上公布将裁人20%(约1000人)，并抛却于德国恩斯多夫建厂规划，以应答欧洲电动汽车市场需求的放缓。

据外媒报导，因为半导体市场低迷，英飞凌决议推延马来西亚居林晶圆厂的第二阶段设置装备摆设，并减少10%的投资。不外这一动静没有获得英飞凌官方回应，外界遍及预测假如属实，注解当前市场情况仍不敷乐不雅，正如英飞凌CEO指出， 市场周期性疲软仍于继承，很多终端市场的复苏乏力。

英飞凌马来西亚居林 超等晶圆厂 第二阶段设置装备摆设的投资额高达50亿欧元，原规划将于将来几年内继承扩建，完成后将成为全世界最年夜且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。

按照英飞凌2024财年的财报，该公司整年总营收为149.55亿欧元，同比降落8%；利润为31.05亿欧元，利润率为20.8%，注解于面临市场需求疲软的环境下该公司仍连结了必然的盈利能力。

罗姆的SiC营业进展和将来计划也于近期做出了调解。根据原规划，罗姆预备于2021-2027年为SiC营业投入5100亿日元(约合人平易近币239.7亿)，此刻则预备降至4700亿-4800亿日元(约合人平易近币220.9亿-225.6亿)，2025财年到达1100亿日元(约合人平易近币51.7亿)的发卖额方针也被推延到2026-2027年。

产能方面，罗姆筑后工场规划在2025年最先年夜范围出产，宫崎第二工场估计于2025年投产，原定 到2025年将SiC产能晋升到2021年6倍 的方针将顺延至2026年实现。

变化二，本土公司高速入局

只管与国际年夜厂比拟，海内SiC的市场份额占比还有比力小，但中国SiC器件设计与制造技能成长快速，产能连续扩张。估计到2026年，中国SiC产能、衬底产能将达460万片，可满意约3000万辆新能源汽车的SiC器件需求，也确凿存于着产能多余的危害。

天岳进步前辈济南及济宁工场年产能约6.7万片，重要为4~6英寸半绝缘型衬底；上海临港工场已经在2023年5月最先交付6英寸导电型SiC衬底，2026年全数达产后导电型碳化硅衬底年产能将跨越30万片。2023年下半年，该公司决议将6英寸SiC衬底的出产范围扩展至96万片/年。

天科合达北京工场二期处在计划中；徐州工场二期总投资8.3亿元，计划年产16万片碳化硅衬底晶片，2024年投产；本年2月，由天科合达子公司深圳重投天科卖力运营的第三代半导体SiC质料出产基地也于深圳宝安区启动，本年衬底及外延产能达25万片。估计2025年末，天科合达6英寸衬底有用年产能到达55万片。

烁科晶体SiC二期项目估计为公司每一年新增20万片6~8英寸SiC衬底的产能，估计2025年实现年产30万片。按照持久计划，公司将继承投资30亿，形成靠近200万片的年产能。

东尼电子的 年产12万片SiC半导体质料 项目在2023年上半年实行终了，并规划使用东安博体育尼五期厂区厂房，实行扩建年产20万片6英寸SiC衬底质料项目。

三安光电2025年二期项目达产后，6英寸SiC衬底以和配套产能将到达36万片。估计2023年底至2024年头，6英寸SiC产能计划扩产至1.8~2万片/月。8英寸产线方面，除了了与ST合资，于重庆投资32亿美元(约220亿元)设置装备摆设8英寸SiC外延与芯片代工场外，还有将零丁投资70亿元于重庆设置装备摆设8英寸SiC衬底工场。

士兰微8英寸SiC项目进入土方工程扫尾阶段，估计在2025年第三季度开端通线，第四序度试出产。总投资范围约120亿元，两期设置装备摆设完成后将形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的出产能力。

以上只是中国SiC行业投资扩产热忱的一个缩影，据不彻底统计，2023年全世界公然披露的SiC相干扩产项目就有121起，总投资金额高达260亿美元。此中，来自中国的扩产项目就有97起。

变化三，质料、器件、工艺，三维看技能

从质料来看，基在成本、良率的需求，晶圆质料正于向年夜尺寸、低缺陷SiC衬底和外延制备的标的目的成长。这里重要指的就是碳化硅晶片从6英寸向8英寸的转型进级。

从器件来看，寻求更低的SiCMOSFET比导通电阻，同时于靠得住性、鲁棒性更靠近硅基IGBT水准。国际头部年夜厂今朝基本维持3-5年的迭代周期，每一次迭代会带来20%-25%的比导通电阻值降落。而中国SiCMOSFET最新技能已经经对于标国际主流程度，并连结1年1代的快速迭代节拍。

从工艺来看，继承研究制约SiCMOSFET成长的基础科学问题，好比经由过程采用高纯度SiC衬底、改良栅氧化层建造工艺来晋升沟道迁徙率等。

变化四，价格连续下跌

进入2024年，6英寸碳化硅晶圆衬底的主流市场价格已经从高位迅速降至400~450美元的区间，较以前有了年夜幅降落。据行业阐发师阐发，6英寸碳化硅价格的狂跌重要归因在供给多余及市场竞争加重，并且跟着中国碳化硅产能扩张，年夜量产物涌入市场，致使供需掉衡，价格承压下跌。

于中国市场，6英寸碳化硅衬底的价格下跌更为显著。与国际供给商报价维持于750~800美元之间比拟，中国制造商的价格与国际供给商的价格差异已经扩展至30%摆布，反应出中国碳化硅市场的激烈竞争及供给多余的近况。

器件价格方面，从去年9月到本年4月，1200V/40m SiCMOSFET的平均价格已经经从35元跌到23元，降落幅度到达35%。对于比同类型的1200V/40m 硅基IGBT的价格，今朝SiC器件的价格是硅基器件的1.5-2倍。业内子士猜测称，将来两三年内，SiC器件与同规格IGBT器件的价格对于比数值有望降落到1.2-1.5倍。

图源：清纯半导体

业内专家暗示，碳化硅衬底及外延的价格都于连续降落，这类趋向于短时间内可能继承存于。跟着新结构产能的陆续投产，价格战可能进一步加重，致使价格进一步下跌。

变化五，运用与财产链出现动态成长

今朝看到的一个较着趋向，是跟着汽车制造商对于更高能效及续航能力的寻求，整车厂于接下来的两三年里会发布更多搭载800V平台的车型，对于SiC功率器件的需求会进一步增长。可以说， 800V+SiC 已经经基本成为高端电动汽车标配。

与新能源汽车市场同步高速成长的还有有充电基础举措措施，特别是于中国市场，新能源汽车与充电桩的配比到达了2.5:1，远高在泰西8:1的比例。按照中国充电同盟数据，估计到2027年，中国用在充电基础举措措施的第三代功率电子市场将到达21.8亿元。这此中，高压直流快充为SiC功率电子创造的市场时机最年夜。

业内子士指出，于完成SiC半导体技能立异和市场教诲后，国际竞争核心将慢慢从技能研发转移到年夜范围量产，而依托巨年夜的运用市场及高效产能晋升，中国于不久的未来颇有可能主导全世界SiC财产 第一阶段是国际芯片供给商主导供给链，海内SiC质料实现部门替换；第二阶段是海内市场实现周全国产替换，国际芯片与终端企业、海内企业睁开周全互助。

责编：Elaine 本文为国际电子商情原创文章，未经授权禁止转载。请尊敬常识产权，背者本司保留究查责任的权力。解读年头9家半导体巨头财报：行业分解的旌旗灯号与将来

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